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關(guān)于光柵光柵作為重要的分光器件，它的選擇與性能直接影響整個系統(tǒng)性能。光柵分為刻劃光柵、復(fù)制光柵、全息光柵等。刻劃光柵是用鉆石刻刀在涂薄金屬表面機(jī)械刻劃而成；復(fù)制光柵是用母光柵復(fù)制而成。典型刻劃光柵和復(fù)制光柵的刻槽是三角形。全息光柵是由激光干涉條紋光刻而成。全息光柵通常包括正弦刻槽。刻劃光柵具有衍射效率高的特點(diǎn)，全息光柵光譜范圍廣，雜散光低，且可作到高光譜分辨率。如何選擇光柵選擇光柵主要考慮如下因素：1、光柵刻線，光柵刻線多少直接關(guān)系到光譜分辨率，刻線多光譜分辨率高，刻線少光譜...

什么是光譜儀？根據(jù)光與物質(zhì)相互作用引起物質(zhì)原子、分子內(nèi)部量子化能級之間的躍遷產(chǎn)生的發(fā)射、吸收、散射波長或強(qiáng)度變化，檢測并處理這類變化的儀器被稱為光譜儀。因此，光譜儀的基本功能，就是將復(fù)色光在空間上按照不同的波長分離/延展開來，配合各種光電儀器附件得到波長成分及各波長成分的強(qiáng)度等原始信息以供后續(xù)處理分析使用。光譜分析方法作為一種重要的分析手段，在科研、生產(chǎn)、質(zhì)控等方面，都發(fā)揮著大的作用。而無論是穿透吸收光譜，還是熒光光譜，拉曼光譜等，如何獲得單波長輻射（單色光）是*的手段。現(xiàn)代...

InGaN/GaN多量子阱的PL譜和EL譜測試●樣品提供：KingAbdullahUniversityofScienceａndTechnology提供的基于藍(lán)寶石襯底MOCVD生長的InGaNGaN量子阱●測試條件：325nm激發(fā)，功率30mW●光譜范圍：340-700nm

系統(tǒng)組成●激發(fā)光源部分：紫外-近紅外波段各種波長激光器●顯微光路部分：優(yōu)化設(shè)計的專用型顯微光路●光譜采集部分：影像校正光譜和高靈敏型科學(xué)級CCD或單點(diǎn)探測器和數(shù)據(jù)采集器●樣品臺支架部分：xyz三維可調(diào)樣品臺（手動或自動）、超低溫樣品臺

參數(shù)規(guī)格表：主型號FlexOne光譜范圍300-2200nm光譜分辨率0.1nm激發(fā)光可選波長266nm，325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等探測器類型單點(diǎn)Si單點(diǎn)PMT單點(diǎn)InGaAs制冷型CCD2000×256制冷型InGaAs陣列512×1制冷型InGaAs陣列512×1有效范圍200-1100nm200-870nm800-2500nm300-1000nm800-1700nm800nm-2200nm空間分辨率注*：以上為參...

APFC-1T/2T/3AT系列光纖耦合調(diào)整架光纖耦合調(diào)整架是將空間光通過一定的光學(xué)元件（如顯微物鏡、透鏡等）耦合至光纖中或者是將光纖輸出的光轉(zhuǎn)變?yōu)榭臻g光進(jìn)行傳輸?shù)囊环N裝置。由于光纖耦合存在很多技術(shù)難點(diǎn)，所以要求進(jìn)行精密調(diào)整。卓立漢光的光纖耦合調(diào)整架，技術(shù)成熟、質(zhì)量穩(wěn)定，可為您實(shí)現(xiàn)光纖耦合提供便利條件。說明：APFC-1T/2T/3AT系列光纖耦合調(diào)整架適合于將空間光耦合至裸纖中，夾持光纖部分需配置APFCH-1型裸光纖夾持棒使用。尺寸圖：

DCS110功率計包括NOVA功率計表頭和PD300-UV標(biāo)準(zhǔn)光電二管探頭，寬波長范圍且噪聲低，探頭口徑為10×10mm,波長范圍200-1100nm,功率范圍20pW-300mW。為了保證測試的重復(fù)性和準(zhǔn)確性，在每次實(shí)驗之前可使用光功率計對光源強(qiáng)度進(jìn)行校準(zhǔn)

Omni-λBright亮譜系列可調(diào)單色光源產(chǎn)品特點(diǎn)：適用于光譜范圍在260nm以上的各類應(yīng)用亮譜系列可調(diào)單色光源采用公司專有光路設(shè)計技術(shù)，光功率輸出媲美500W氙燈。氙燈光源是zui接近太陽光譜的光源，在紫外到可見光波段都是非常平滑的光譜曲線，在近紅外波段750-1000nm有較尖銳的譜線輸出。當(dāng)紫外光波長低于242nm時會與空氣中的氧作用產(chǎn)生有毒氣體臭氧，鑒于此，我們選用了除臭氧氙燈燈泡。收光效率由原有的45%提高到90%以上傳統(tǒng)氙燈光源室采用前透鏡后反射鏡的光路設(shè)計來提...