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產(chǎn)品分類Product Categories

光譜儀器

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（HgCdTe）碲鎘汞探測(cè)器
■ 碲鎘汞探測(cè)器（HgCdTe） ———液氮制冷型紅外探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：2~22μm。有DMCT(x)-De和 DMCT11-HS兩種類型，其中： ◆ DMCT(x)-De為液氮制冷型，x-12/ 14/ 16/ 22，四種截止波長(zhǎng)可選，適合一般測(cè)量，須選配前置放大器； ◆ DMCT12-HS為液氮制冷高速響應(yīng)型，集成前置放大器，響應(yīng)時(shí)間小于50ns；

產(chǎn)品型號(hào)：
HgCdTe

廠商性質(zhì)：
生產(chǎn)廠家

更新時(shí)間：
2024-05-20

瀏覽次數(shù)：
5024
銻化銦探測(cè)器
■ 銻化銦探測(cè)器（InSb）$n———液氮制冷型紅外探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：1～5.5μm$n 有DInSb5-De（x）和DInSb5-HS兩種類型，其中：$n◆ DInSb5-De（x）為液氮制冷型，x-01/ 02/ 04/ 07，四種光敏面尺寸可選，適合一般測(cè)量，須選配前置放大器$n◆ DInSb5-HS為液氮制冷高速響應(yīng)型，集成前置放大器，響應(yīng)時(shí)間小于25ns

產(chǎn)品型號(hào)：
InSb系列

廠商性質(zhì)：
生產(chǎn)廠家

更新時(shí)間：
2024-05-20

瀏覽次數(shù)：
5495
砷化銦探測(cè)器
■ 砷化銦探測(cè)器（InAs）$n———近紅外探測(cè)器波長(zhǎng)范圍：1-3.8μm$n DInAs3800和DInAs3800-TE兩種型號(hào)，其中：◆ DInAs3800內(nèi)裝進(jìn)口常溫型探測(cè)元件；◆ DInAs3800-TE內(nèi)裝進(jìn)口TE制冷型探測(cè)元件。

產(chǎn)品型號(hào)：
InAs系列

廠商性質(zhì)：
生產(chǎn)廠家

更新時(shí)間：
2024-05-20

瀏覽次數(shù)：
3527
硫化鉛探測(cè)器
■ 硫化鉛探測(cè)器（PbS）$n———常溫型紅外探測(cè)器,波長(zhǎng)范圍：0.8-3.2μm$nDPbS2900/3200兩種型號(hào)，兩種探測(cè)器室的外觀相同（內(nèi)帶前置放大器）

產(chǎn)品型號(hào)：
PbS

廠商性質(zhì)：
生產(chǎn)廠家

更新時(shí)間：
2024-05-20

瀏覽次數(shù)：
7371
銦鎵砷探測(cè)器DInGaAs系列
常溫型銦鎵砷探測(cè)器（InGaAs）$n——室溫型近紅外探測(cè)器，使用范圍：0.8-1.7μm（2.6μm）$n● DInGaAs1600型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)小面積InGaAs元件；$n● DInGaAs1650型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)大面積InGaAs元件；

產(chǎn)品型號(hào)：
DInGaAs系列

廠商性質(zhì)：
生產(chǎn)廠家

更新時(shí)間：
2024-05-20

瀏覽次數(shù)：
4727
硅光電探測(cè)器
DSi系列硅光電探測(cè)器高靈敏型硅、紫外增強(qiáng)型，使用范圍：200~1100nm；

產(chǎn)品型號(hào)：
DSi系列

廠商性質(zhì)：
生產(chǎn)廠家

更新時(shí)間：
2024-05-19

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6461

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